碳化硅独特的电子和热性能使其非常适合先进的高功率和高频半导体器件，其性能远远超过硅或砷化镓的性能。碳化硅基技术的关键优势包括降低开关损耗、更高的功率密度、更好的散热和更高的带宽容量。在系统层面，可以实现高度紧凑的解决方案，大大提高功率效率，降低成本。利用碳化硅技术的当前和预计商业应用的快速增长包括5G无线基站天线中的RF功率放大器和其他高性能RF应用。

在RF GaN行业，一切都是从碳化硅基氮化镓技术开始的，它在20多年前即已推出，现已成为RF功率应用方面LDMOS和GaAs的有力竞争者。除了军用雷达领域的深度渗透，它还是华为、诺基亚、三星等电信原始设备制造商（OEM）5G大规模MIMO基础设施的首选。由于高带宽和高效率，碳化硅基氮化镓器件在5G市场上不断从LDMOS中抢占份额，并开始受益于向6英寸晶圆平台的转移。在这种情况下，碳化硅基氮化镓器件市场预计将在2026年达到22亿美元以上，复合年增长率将达到17%。